闪存点击右上方”关注“ 多媒体卡(MMC)
作者:admin 发布时间:2023-11-27 11:53:09 分类:方法 浏览:130
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闪存被定义为一种存储技术,它使用浮栅单元设计来记住其在关闭之前的状态,从而无论电源是否有效都保留数据,使其成为一种持久的读取、写入和擦除存储器形式。
本文解释了闪存的含义。
什么是闪存?
闪存是一种存储技术,它使用浮栅单元设计来记住其在关闭之前的状态,从而无论电源是否有效都可以保留数据,使其成为一种持久的读取、写入和擦除存储器形式。
闪存是一种非易失性存储芯片,用于数字设备和个人电脑之间的数据存储和传输。
它能够进行电气重新编程和擦拭干净。
它通常包含在 USB 拇指驱动器、MP3 播放器、相机或固态驱动器中。
近年来,闪存技术变得更加实惠和耐用,导致其在企业 IT 中得到广泛使用。
计算机中最常见的闪存示例包括:
多媒体卡 (MMC) :MMC 是基于闪存的存储卡标准,用于手机、相机、媒体播放器、录像机和用于固态存储的个人计算机。
这些卡片保存数字数据,如文本、图像、音频或视频。
固态硬盘 (SSD) :SSD 是一种闪存,用于计算机和视频游戏机等设备。
由于其速度和可靠性,它正在逐步取代硬盘驱动器 (HDD)。
BIOS 芯片:基本输入/输出系统 (BIOS)是计算机主板上的一个微型存储芯片,用于存储诸如启动和键盘控制等基本操作的指令。
所有现代 BIOS 芯片都采用闪存技术而不是只读存储器 (ROM)。
USB 闪存驱动器:此数据存储设备包含闪存和 USB 接口。
它连接到计算机、电话或相机以存储或传输数字数据。
在闪存中,信息存储在存储单元中。
这些单元具有浮栅晶体管,可以长时间但不是无限期地捕获电子。
根据施加电压的位置,这些单元可以执行读取、写入和擦除任务。
要进行写入操作,存储单元的浮栅必须充电或放电;充电状态表示逻辑 0,放电状态表示逻辑 1。
现代存储系统将存储单元分组为页,允许同时检索大量数据,而不是逐个单元地检索。
最常见的闪存形式,非 (NAND) 闪存,由 32 或 64 页的块组成。
NAND 芯片可以将电子“推”入氧化物介质并进入硅树脂“门”。
这些门保留计算机可能解释为 1 和 0 的电子。
该芯片将成百上千个这些晶体管连接在一起,并利用逻辑控制器让它们作为一个单元运行。
闪存的演变
1981 年,东芝电气工程师 Fujio Masuoka 和同事 Hisakazu Iizuka 为闪光灯的发明申请了美国专利 4,531,203。
最初称为同时可擦除 EEPROM(电可擦除可编程只读存储器),它被称为“闪存”,因为它可以瞬间擦除和重新编程——像相机闪光灯一样快。
过去,可擦除存储芯片(典型的 EPROM)需要大约 20 分钟才能用紫外线擦除以重新使用,因此需要昂贵的透光包装。
有更便宜的电可擦除 EPROM,但它们的架构更重且效率更低,需要两个晶体管来保存每一位信息。
闪存解决了这些限制。
在过去十年左右的时间里,闪存迅速超越了磁存储。
在从超级计算机或笔记本电脑到手机和 iPad 的各种设备中,硬盘正在被体积小、速度快且结构紧凑的基于闪存的 SSD(固态硬盘)所取代。
从 PC 和固定电话设备到便携式设备(平板电脑和智能手机)和手机(需要超紧凑、高密度、极其稳定的内存单元,能够承受四处移动的紧张和压力)的转变促成了这一趋势。
这些趋势目前有利于三星于 2000 年代初开发并于 2013 年正式推出的 3D 闪存(“堆叠”)技术。
可以在单个硅晶圆上开发多层存储单元以提高存储容量。
3D 闪存采用一种称为电荷陷阱的机制,而不是浮栅(将在后续部分中进行解释)。
它在相同大小的占用空间内提供深入 TB 范围的内存容量。
标签:存储
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