长江存储 于是存储芯片厂商们
作者:admin 发布时间:2023-11-29 09:14:54 分类:书屋 浏览:124
先说一个事实,那就是中国大陆的长江存储,成为了全球第一家量产232层3D NAND闪存芯片的厂商,技术已经超过了三星、美光、SK海力士、铠侠等巨头。
事实上,长江存储一直保持低调,并没有公布这个事实,但是TechInsights发现使用长江存储芯片颗粒的SSD太强了,于是拆解了这一款海康威视的 CC700 2TB 的固态硬盘,最后才发现,这款SSD用上了 232 层的 3D NAND 结构。
于是消息刷屏网络,广大网友是兴奋不已,因为这可能是第一次,中国大陆厂商在半导体领域,技术全球第一。
那么问题就来了,一家成立仅7年多的公司,怎么就能够在技术上超过三星、美光这些巨头呢?这里要提到长江存储自研的一个3D技术,那就是Xtacking,也称之为“晶栈”。
我们知道芯片提升性能的常见办法是提升工艺,比如从14nm提升至10nm,再7nm,5nm,3nm,这种方法是平面微缩。
而在NAND这种存储芯片中,大家发现,当工艺提升至15nm左右后,再微缩工艺,会导致数据不稳定,有可能出现丢失、错乱等现象。
而NAND是用于SSD等存储设备的,一旦存储的数据出问题了,那这设备拥有再高的性能,也没人用,数据稳定安全大于一切。
于是存储芯片厂商们,在15nm后,已经不再是提升工艺,不再从平面来微缩晶体管了,而是采用上、下堆叠,变成3D结构。
而XX层3D NAND闪存,即代表着这块芯片,是采用了上下XX层的堆叠技术,堆叠的越多,技术越先进,存储密度越高。
存储芯片其实分为两个功能区的,一个是负责存储数据的单元,一个是读取/存入数据的单元,这两块是相互独立,但又紧密联系的。
而长江存储在不断的研究中发现,如果读取/存入数据的单元,将工艺进行微缩,比如提升至14nm,12nm等,与15nm工艺相比,是可以大幅度的提升读取/存入数据的速度的。
而存储数据的单元,则不能提升工艺,只能维持在15nm或更成熟的工艺,一旦提升工艺,稳定性就下降了。
于是长江存储有一个大胆的想法,既然这两部分是相互独立的,且特性也不一样,那干脆就将他们分开好了,用不同的工艺来制造。
长江存储的Xtacking就这样诞生了,他是一种3D立体结构,其中存储单元和读取/存入数据的单元是分属不同的晶圆上的。
这样存储数据的单元,采用成熟一点的工艺来制造,保证数据的稳定性。
但是读取/存入数据的单元,则采用先进一点的工艺来制造,保证读取/写入的速度,再通过电路将两者连接起来。
这样,制造出来的3D NAND闪存,既能够保证数据的稳定性,又能够保证良好的读取/写入性能,达到两者兼顾的目的。
同时采用Xtacking技术来制造芯片,还能够大大缩短芯片周期,因为读取/写入部分, 与存储部分,可以分开制造,采用不同工艺,能够大大提高生产效率。
于是长江存储就靠Xtacking这一技术,超过了三星、美光等巨头,率先全球量产232层3D NAND。
当然,技术是超过了,但后果很严重,美国被吓住了,将长江存储拉入了“实体清单”,对一些先进设备进行了限制,可以预测的是,在这样的情况下,这一先进工艺要扩产,比较困难了,估计会错过通过技术,抢占市场的窗口期,而这也是美国的目的。
标签:存储
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